非磁性半金属【JST・京大機械翻訳】

Liu Zhonghao; Thirupathaiah Setti; Yaresko Alexander; Kushwaha Satya; Gibson Quinn; Cava Robert; Borisenko Sergey

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202204051549456 整理番号：22P0040829

非磁性半金属【JST・京大機械翻訳】

Non-Magnetic Half-Metals

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発行年： 2017年05月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2017年05月21日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

半金属は,1つのスピン方向に対してのみ金属である一種の材料であり,スピンデータを読み,書き込み,貯蔵および転送する必要のあるスピントロニクス応用に不可欠である。このスピン感度は,それらを磁気に制限するようであり,そして,既知の用例は確かである。このような材料からの実際のスピントロニクス素子の作製は,しばしば妨げられるが,磁場,ドメイン壁,短いスピンコヒーレンス時間,磁気原子または磁気的に活性な界面上の散乱,および磁性と共に起こる他の特性によって,しばしば妨げられる。トポロジー絶縁体,またはDiracまたはWeyl半金属の表面は代替であるが,Fermi準位でバルク状態の存在のない高品質薄膜の製造は非常に困難である。ここでは,非磁性半金属を導入し,IrBiSeにおいてこの状態を実現することを示した。角度分解光電子放出分光法およびバンド構造計算を用いて,記録-高Dresselhausスピン-軌道分裂,完全スピン分極レムナントFermi面およびキラル3Dスピン-集合組織を,すべて磁性が存在しないことを見出した。有望な応用はスピン分極電子源としてIrBiSeを用いることを含み,光ドープIrBiSeは電場制御スピン分極電流を生成し,後方散乱から自由であり,三重項超伝導をホストできる。【JST・京大機械翻訳】

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金属結晶の磁性 , 磁性材料 , 金属結晶の電子構造 , 半導体-金属接触 , 酸化物結晶の磁性

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