半導体トランジスタに着想を得た非相反および非エルミート材料応答【JST・京大機械翻訳】

Lannebere Sylvain; Fernandes David E.; Morgado Tiago A.; Silveirinha Mario G.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202204396976667 整理番号：22P0024355

半導体トランジスタに着想を得た非相反および非エルミート材料応答【JST・京大機械翻訳】

Nonreciprocal and non-Hermitian material response inspired by semiconductor transistors

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (4件)： , , ,
資料名：
発行年： 2022年01月06日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月06日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

ここでは,従来の半導体トランジスタの運転に触発され,非レシプロカルおよび非Hermitian電磁応答を有する新しいクラスのバルク材料を紹介した。この解析は,静的電気バイアスと組み合わせた材料非線形性がHermitianとtranspose対称性を欠いている線形化誘電率テンソルに導くことを示した。注目すべきことに,材料は,電場成分の相対相に依存して,エネルギーを散逸または発生できる。理想化された「MOSFET-メタマテリアル」に基づく電磁アイソレータのための簡単な設計を導入し,その性能が材料利得により従来のFaradayアイソレータを原理的に凌駕できることを示した。さらに,類似の材料応答は,非平衡状況において自然媒体で操作される可能性があることを示唆した。この解は,静的電気バイアスを用いて,バルク非線形材料における電磁相反性を破る完全に新しいパラダイムを決定する。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , ,
, , 【Automatic Indexing@JST】

光集積回路,集積光学 , 光導波路,光ファイバ,繊維光学 , 電磁気学一般 , 固体デバイス製造技術一般

, ,

前のページに戻る