GaN/(Al,Ga)N量子井戸における励起子の電気的制御【JST・京大機械翻訳】

Aristegui R.; Chiaruttini F.; Jouault B.; Lefebvre P.; Brimont C.; Guillet T.; Vladimirova M.; Chenot S.; Cordier Y.; Damilano B.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202204568703862 整理番号：22P0310411

GaN/(Al,Ga)N量子井戸における励起子の電気的制御【JST・京大機械翻訳】

Electrical control of excitons in GaN/(Al,Ga)N quantum wells

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発行年： 2022年03月25日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月25日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

成長方向における巨大ビルトイン電場は,外部バイアスがない場合でさえ,広いGaN/(Al,Ga)N量子井戸における励起子を空間的に間接にする。間接励起子の顕著な密度は,ヘテロ構造の上に堆積された薄い金属層によって量子井戸面にインプリントされた静電トラップに蓄積できる。空間的に分解された光ルミネセンスと光誘起電流を同時に測定することによって,トラップの励起子密度が外部電気バイアスによって制御でき,トラップ深さを変えることができることを実証した。負のバイアスの適用はトラッピングポテンシャルを深めるが,トラップ中に励起子の付加的蓄積をもたらさない。これは,電極端の横方向電場により励起された励起子解離による。得られたキャリア損失は,光電流の増加および光ルミネセンス強度の減少として検出された。対照的に,正のバイアスの適用は電極誘起トラッピング電位を洗い出す。このように,励起子はトラップから放出され,空間的に分解された光ルミネセンスによって明らかにされた平面の自由伝搬を回復する。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , 【Automatic Indexing@JST】

半導体のルミネセンス , 励起子

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