分子ビームエピタクシーで成長させたWSe_2/MoSe_2ヘテロ二重層におけるハイブリダイゼーションと局在フラットバンド【JST・京大機械翻訳】

Khalil Lama; Pierucci Debora; Velez Emilio; Avila Jose; Vergnaud Celine; Dudin Pavel; Oehler Fabrice; Chaste Julien; Jamet Matthieu; Lhuillier Emmanuel; Pala Marco; Ouerghi Abdelkarim

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202204657640530 整理番号：22P0025559

分子ビームエピタクシーで成長させたWSe_2/MoSe_2ヘテロ二重層におけるハイブリダイゼーションと局在フラットバンド【JST・京大機械翻訳】

Hybridization and localized flat band in the WSe2/MoSe2 heterobilayer grown by molecular beam epitaxy

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資料名：
発行年： 2022年01月10日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月10日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

特定のねじれ角で生じる運動量空間におけるほぼ局在化したモアレフラットバンドは遷移金属ジカルコゲン化物における相関効果を達成する鍵である。ここでは,分子線エピタキシーにより成長させたvan der Waals(vdW)WSe_2/MoSe_2ヘテロ二層のFermi準位近傍のフラットバンドの存在を可視化するために,角度分解光電子放出分光法(ARPES)を用いた。このフラットバンドはBrillouinゾーンのK点の近くに局在し,数百meVの幅を持つ。ARPES測定を密度汎関数理論(DFT)計算と組み合わせることにより,異なるドメインの共存,すなわち,層ミスオリエンテーションのない参照2H積層と任意のねじれ角を持つ領域を確認した。2H積層ヘテロ二分子層に対して,著者らのARPES結果は,強い層間ハイブリダイゼーション効果を示し,さらに相補的ミクロRaman分光法測定により確認した。Kでの価電子帯のスピン分裂は470meVであると決定した。ヘテロ二分子層の価電子帯最大(VBM)位置はガンマ点に位置した。ガンマでのVBMとK点の間のエネルギー差は-60meVであり,それは個々の1L WSe_2と比較して星差であり,KでVBMを示した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , 【Automatic Indexing@JST】

塩 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 半導体結晶の電子構造 , その他の無機化合物の薄膜 , 表面の電子構造

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