タンタルジスルフィドのナノシートの完全歪マッピング【JST・京大機械翻訳】

Cao Yue; Assefa Tadesse; Banerjee Soham; Wieteska Andrew; Wang Dennis; Pasupathy Abhay; Tong Xiao; Liu Yu; Lu Wenjian; Sun Yu-Ping; He Yan; Huang Xiaojing; Yan Hanfei; Chu Yong S.; Billinge Simon J. L.; Robinson Ian K.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202204690303182 整理番号：22P0097616

タンタルジスルフィドのナノシートの完全歪マッピング【JST・京大機械翻訳】

Complete Strain Mapping of Nanosheets of Tantalum Disulfide

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資料名：
発行年： 2020年01月05日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年08月27日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

準二次元(準2D)材料は,全ての三次元で結晶歪に敏感な電子的および機械的性質をもたらすそれらのユニークなバンド構造のため,将来のエレクトロニクスに対して有望である。結晶歪の定量化は,デバイスの性能と相関する必要条件であり,高分解能だが空間的に分解された高速特性評価法を要求する。ここでは,ハエ走査ナノX線回折を用いて,1T-TaS_2の準2Dフレーク上の100μmの空間範囲で80nm以上の空間分解能で0.001%以下の引張歪感度を達成できることを示した。12keVの集束X線ビームを走査し,試料を回転させて,1T-TaS_2のλ>100nm厚板からコヒーレント回折パターンを収集した。試料中に存在するミクロンおよびサブミクロンサイズの「気泡」の周りの歪分布は,これらの画像から再構成されるかもしれないことを示した。この実験は,最先端のシンクロトロン計装の状態を使用し,準2D材料に基づく薄膜試料と電子デバイスの急速で非侵襲的な歪マッピングを可能にするであろう。【JST・京大機械翻訳】

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, , 【Automatic Indexing@JST】

半導体薄膜 , X線回折法

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