二次元MoSi_2N_4:トランジスタ用の優れた2D半導体【JST・京大機械翻訳】

Nandan Keshari; Ghosh Barun; Agarwal Amit; Bhowmick Somnath; Chauhan Yogesh S.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202204769260020 整理番号：22P0279438

二次元MoSi_2N_4:トランジスタ用の優れた2D半導体【JST・京大機械翻訳】

Two-dimensional MoSi2N4: An Excellent 2D Semiconductor for Transistors

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発行年： 2022年01月25日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年05月10日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

チャネル材料として最近合成した層状二次元MoSi_2N_4の単層からなる電界効果トランジスタ(FET)の性能を第一原理量子輸送シミュレーションを用いて報告した。デバイスの性能を,2034年のデバイスとシステム(IRDS)2020ロードマップの国際ロードマップとして評価し,先進シリコンベースFET,カーボンナノチューブベースFET,および他の有望な二次元材料ベースFETと比較した。最後に,この二重ゲートデバイスと有望な代替論理技術に対するベンチマークに基づく組合せと逐次論理回路のメリットの性能指数を推定した。これらのデバイスと回路の性能は有望であり,他の論理代替案と競合する。【JST・京大機械翻訳】

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