格子不整合InP基板上に成長させたInAs量子井戸中の清浄な量子点接触【JST・京大機械翻訳】

Hsueh Connie L.; Sriram Praveen; Wang Tiantian; Thomas Candice; Gardner Geoffrey; Kastner Marc A.; Manfra Michael J.; Goldhaber-Gordon David

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202204941723208 整理番号：22P0288441

格子不整合InP基板上に成長させたInAs量子井戸中の清浄な量子点接触【JST・京大機械翻訳】

Clean quantum point contacts in an InAs quantum well grown on a lattice-mismatched InP substrate

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
発行年： 2022年02月11日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年05月14日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

強いスピン-軌道結合,得られた大きなg因子,および小さな有効質量は,InAsをトポロジー超伝導を誘起するための魅力的な材料プラットフォームにした。伝導バンドにおける表面Fermi準位ピン止めは,過度のドーピングなしで非常に透明なオーム接触を可能にした。深井戸InAs二次元電子ガス中の静電的に定義された量子点接触(QPC)を調べた。InAs量子井戸とInP基板の間の3.3%格子不整合にもかかわらず,ゼロ磁場で8つの顕著な量子化コンダクタンスプラトーを持つ清浄なQPCを報告する。ソース-ドレインdcバイアス分光法は,ほぼ5meVのサブバンド間隔を有する調和閉じ込めポテンシャルを明らかにした。面外g因子|g_⊥ ̄*|=27±1に対する多体交換相互作用増強を見出したが,面内g因子は,InAsのバルク値に近い等方性|g ̄*_x|=|g ̄*_y|=12±2であった。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

半導体結晶の電子構造 , 半導体結晶の電気伝導

, , , , ,

前のページに戻る