XENON1TElectron反跳過剰の説明におけるMigdal効果の展望【JST・京大機械翻訳】

Dey Ujjal Kumar; Maity Tarak Nath; Ray Tirtha Sankar

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205039553363 整理番号：22P0162456

XENON1TElectron反跳過剰の説明におけるMigdal効果の展望【JST・京大機械翻訳】

Prospects of Migdal Effect in the Explanation of XENON1T Electron Recoil Excess

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発行年： 2020年06月22日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年10月24日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

XENON1T実験は,標準モデル予測よりも3.5 ̄σ信号有意性で1~7keVのエネルギー範囲で電子反跳事象の観測を最近発表した。このレターでは,閾値以下の核反跳エネルギーを持つMigdalイオン化事象からそのような過剰を説明する見通しを描いた。面白いことに,これらは観測された過剰のボールパークエネルギースケールでの信号事象を示すことが期待される。観測したシグナルは,核とスピン依存性結合を持つO(1)GeV中性子-親和性暗黒物質によるMigdal効果を通して再現できることを示した。Migdalイオン化がMeVスケールブースト暗黒物質によって駆動されるより楽観的なシナリオを探究した。【JST・京大機械翻訳】

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仮説粒子とその他の素粒子

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