2DMoS_2半導体の電気化学的表面修飾【JST・京大機械翻訳】

Lihter Martina; Graf Michael; Ivekovic Damir; Shen Tzu-Hsien; Zhao Yanfei; Tileli Vasiliki; Radenovic Aleksandra

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205050926902 整理番号：22P0163687

2DMoS_2半導体の電気化学的表面修飾【JST・京大機械翻訳】

Electrochemical Surface Modification of a 2D MoS2 Semiconductor

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発行年： 2020年06月25日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年06月25日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

遷移金属ジカルコゲン化物(TMDC)のような2D半導体材料の表面修飾は,バイオセンシング,触媒,エネルギー発生およびエネルギー貯蔵のような多様な応用に対して重要になっている。それらの基底面の化学的不活性により,2D TMDCの表面修飾は主に欠陥部位に限定されるか,あるいはその半導体から金属相へのTMDCの転換を必要とする。本研究では,2D半導体二硫化モリブデン(MoS_2)の基底面を,3,5-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンジアゾニウムテトラフルオロボラートのようなアリールジアゾニウム塩の電気化学的グラフト化によって修飾できることを示した。この方法の適用可能性を調べるために,異なる電極を介して個別にそれらに対処することによりMoS_2ナノリボン上に電気グラフト化を行った。ナノスケールでのこの方法の高い空間選択性は,電極によって接触する隣接2D層とナノ構造の特異的表面修飾の可能性を開く。この方法は,アリールジアゾニウム塩の電気化学的還元が起こる同じ電位窓で活性である他の2D半導体材料に潜在的に適用できる。【JST・京大機械翻訳】

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塩 , 半導体結晶の電子構造

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