2D材料ヘテロ構造のためのグラフェン上の少数層MoS_2の大面積電着【JST・京大機械翻訳】

Noori Yasir J.; Thomas Shibin; Ramadan Sami; Smith Danielle E.; Greenacre Victoria K.; Abdelazim Nema; Han Yisong; Beanland Richard; Hector Andrew L.; Klein Norbert; Reid Gill; Bartlett Phillip N.; de Groot Cornelis H.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205138104112 整理番号：22P0148409

2D材料ヘテロ構造のためのグラフェン上の少数層MoS_2の大面積電着【JST・京大機械翻訳】

Large-Area Electrodeposition of Few-Layer MoS2 on Graphene for 2D Material Heterostructures

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (13件)： , , , , , , , , , , , ,
資料名：
発行年： 2020年05月18日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年11月22日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

二次元(2D)遷移金属ジカルコゲン化物およびグラフェンのような他の材料を含むヘテロ構造は,多くの電子および光電子応用の基本的ビルディングブロックである強い可能性を有する。このようなヘテロ構造の統合とスケーラブルな製造は,これらの材料の新しい技術における可能性の打ち消しに本質的に重要である。初めて,非水性電着によるグラフェン上の数層MoS_2膜の成長を示した。走査及び透過型電子顕微鏡,原子間力顕微鏡,Raman分光法,エネルギー及び波長分散X線分光及びX線光電子分光法などの方法を通して,この堆積法はグラフェン上の高品質及び均一性を有する大面積MoS_2膜を製造できることを示した。薄膜を通して光誘起電流を測定することによって,これらのヘテロ構造の可能性を明らかにした。これらの結果は,多くの応用のための2D材料の変化からなるヘテロ構造の大規模成長のための電着法の開発に向けた道を開いた。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , ,
, , , , 【Automatic Indexing@JST】

半導体薄膜 , 酸化物薄膜

, , , ,

前のページに戻る