抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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オプトエレクトロニックと光起電力の分野での応用のための効率的な材料の探索は,世界中の研究の活発な分野である。K_3Cu_3P_2のような化合物の可能性はまだ完全には実現されていない。したがって,K_3Cu_3P_2の構造,電子,弾性および光学特性を調べるために,密度汎関数理論に基づくab initio研究を行った。基底状態特性を3つの異なるシナリオ,すなわちスピン-軌道結合(SOC),スピン-軌道結合無し,およびHubbard Uパラメータで計算した。SOCのないK_3Cu_3P_2,SOCとK_3Cu_3P_2のそれぞれで,1.338eV,1.323eVと1.673eVの直接電子バンドギャップが得られた。すべての場合において,Cu-d軌道は価電子帯の最上部で支配的であった。K_3Cu_3P_2計算格子定数とバンドギャップに及ぼすSOCの影響は小さかった。機械的安定性試験は,K_3Cu_3P_2がゼロ圧力で機械的に安定であることを示した。オプシロンUが考慮されたとき,光学バンドギャップは0.635eV増加した。一般的に,密度汎関数理論におけるHubbard Uパラメータの包含はバンドギャップと光学的性質の予測を改善する。【JST・京大機械翻訳】