CdS/CdSe,Al_xGa_1-xAs/GaAsおよびAlSb/InAs多重量子障壁を通る電子トンネリングのエネルギー有効質量依存性【JST・京大機械翻訳】

Gain Jatindranath; Dassarkar Madhumita; Kundu Sudakhina

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205340663620 整理番号：22P0310008

CdS/CdSe,Al_xGa_1-xAs/GaAsおよびAlSb/InAs多重量子障壁を通る電子トンネリングのエネルギー有効質量依存性【JST・京大機械翻訳】

Energy effective mass dependence of electron tunneling through CdS/CdSe, AlxGa1-xAs/GaAs and AlSb/InAs Multiple Quantum Barriers

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発行年： 2022年03月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月23日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

ヘテロ構造デバイスにおける障壁を通した電子のトンネリングを,統一転送行列法を用いて研究した。電子透過係数に及ぼす障壁幅の影響を,現在,重要な研究関心の半導体デバイスの異なる対に対して調べた。このようなPairsはAl_xGa_1-xAs/GaAs,AlSb/InAs,およびCdS/CdSe量子障壁を20nmから5nmに縮小し,トンネル特性がスケーリングによってどのように影響を受けるかを観察した。井戸および障壁領域における有効電子質量は,構成材料によって典型的に変化した。透過係数は結合により著しく変化することが示された。電子エネルギーに対する有効質量依存透過係数を,質量不連続性計量の観点から評価した。各対の量子構造に対する電子透過係数を,その電子エネルギーの変化でプロットし,そのポテンシャルエネルギーに正規化した。ここで得られた共鳴状態は,検出器,光学フィルタ,フォトニックスイッチング素子および他のオプトエレクトロニクス素子およびフォトニックデバイスを設計するのに有益である。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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