Al_2O_3-SrTiO_3ヘテロ構造における異方性二次元電子輸送に及ぼす微斜面基板ミスカットの影響【JST・京大機械翻訳】

Wolff Karsten; Schaefer Roland; Arnold Daniel; Schneider Rudolf; Tacon Matthieu Le; Fuchs Dirk

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205527335065 整理番号：22P0185343

Al_2O_3-SrTiO_3ヘテロ構造における異方性二次元電子輸送に及ぼす微斜面基板ミスカットの影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of the vicinal substrate miscut on the anisotropic two-dimensional electronic transport in Al2O3-SrTiO3 heterostructures

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
発行年： 2020年08月27日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年08月27日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

SrTiO_3(STO)系ヘテロ構造の界面で形成する二次元電子系(2DES)の電気抵抗は,低温における電流の流れの方向に関して異方性輸送を示す。2DESを調製するSTO基板の表面におけるテラスの影響を調べた。このようなテラスは,表面法線に関してγ ̄0.1{deg}のオーダの小さなミスカット角をもたらす表面調製の許容により,常に市販のSTO基板に存在する。基板ミスカットの制御された増加によって,テラスの幅を系統的に減少させ,それによって基板表面ステップの密度を増加させることができた。電気抵抗の面内異方性を,ミスカット角ガンマの関数として研究し,主に基板表面ステップから生じる界面散乱に関係することを見出した。しかし,γの影響は,STO基板材料におけるステップバンチングと格子転位の発生によって著しく減少した。磁気抵抗(MR)は電流方向に依存し,キャリア移動度の異方性を反映する。γ>=2{deg}では,MRは実質的に増強され,不均一導体に典型的な線形場依存性に向かう傾向を示す。小さな磁場で観測した弱い反局在化から,非弾性散乱とスピン-軌道結合に関する情報を推定した。2D弱局在におけるRashba型スピン-軌道結合に関連した場スケールはγと顕著な相関を示さないが,スケールの明確な変化は非弾性散乱と関連する。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , ,
, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

酸化物薄膜

, , , ,

前のページに戻る