ナノクリオトロン駆動電荷構成メモリ【JST・京大機械翻訳】

Mraz Anze; Kabanov Viktor V.; Mihailovic Dragan

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205547050288 整理番号：22P0311236

ナノクリオトロン駆動電荷構成メモリ【JST・京大機械翻訳】

Nanocryotron-driven Charge Configuration Memory

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (3件)： , ,
資料名：
発行年： 2022年03月28日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

クライオコンピューティングは,現在,適切な高速およびエネルギー効率の良いクライオメモリの欠如によって厳しく制限される。理想的に,そのようなメモリは,速度,スイッチングエネルギーおよび整合インピーダンスに関して,単一磁束量子(SFQ)論理と互換性がある。ここでは,パルストリガ超伝導ナノワイヤクライオトロン(nTron)と並列にそれを結合することにより,クライオコンピューティング環境における非揮発性電荷構成メモリ(CCM)の実装を示した。CCMシャントを有する電流制御ナノワイヤにおけるSC秩序パラメータの動的応答に関して,この複合デバイスをモデル化した。測定したデバイスパラメータに基づく時間動力学と電流-電圧特性の解析は,単一磁束量子(SFQ)レベルパルスがピコ秒時間スケールで非揮発性CCMを駆動でき,一方,nTronが非ラッチモードで動作することを可能にすることを示した。固有の高いエネルギー効率と超高速は,このハイブリッドデバイスを低温計算と量子計算周辺デバイスに使用するための理想的なメモリにする。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , , ,
, 【Automatic Indexing@JST】

Josephson接合・素子 , 半導体集積回路

前のページに戻る