二次元におけるElectron-フォノンデカップリング【JST・京大機械翻訳】

McArdle George; Lerner Igor V.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205662091150 整理番号：22P0280042

二次元におけるElectron-フォノンデカップリング【JST・京大機械翻訳】

Electron-Phonon Decoupling in Two Dimensions

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発行年： 2022年01月26日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月26日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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電子系における多体局在化を観察するために,格子フォノンからのデカップリングが必要であり,これは非平衡系でのみ可能である。このような電子-フォノンデカップリングは懸濁膜で生じ,電子温度における双安定性を介してそれ自身現れることを示した。二次元フォノンを持つ不規則で懸濁した膜の電子-フォノン冷却速度を研究することにより,このような双安定性に必要な条件を導き,非線形電流-電圧特性における数桁のヒステリシスジャンプにより実験的に観察できる。このような領域は,平衡伝導率のArrhenius型を有する系で達成可能であるが,MottまたはEfros-Shklovskiiホッピングを有する材料では,実際には到達できないことを示した。【JST・京大機械翻訳】

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ポーラロン,電子-フォノン相互作用

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