高効率電気光学高分子ベースMach-Zehnder変調器のための増強ポーリングと浸透【JST・京大機械翻訳】

Taghavi Iman; Dehghannasiri Razi; Fan Tianren; Tofini Alexander; Moradinejad Hesam; Efterkhar Ali. A.; Shekhar Sudip; Chrostowski Lukas; Jaeger Nicolas A. F.; Adibi Ali

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202205719464217 整理番号：22P0301406

高効率電気光学高分子ベースMach-Zehnder変調器のための増強ポーリングと浸透【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Polling and Infiltration for Highly-Efficient Electro-Optic Polymer-Based Mach-Zehnder Modulators

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発行年： 2022年03月08日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月10日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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超狭スロット導波路を高効率,電気光学高分子ベース,集積光学変調器に用いるために製作した。測定結果は,1.2V.mm以下のV_πLが,シリコン-有機ハイブリッドプラットフォーム上のこの超狭スロット導波路を用いて,平衡Mach-Zehnder変調器に対して可能であることを示した。0.35V.mmのシミュレートしたV_πLも得た。標準処方の適応に加えて,高い変調感度を有する小型化デバイスを達成するための2つの新規製造プロセスを開発した。コンパクト性を高め,全体のフットプリントを低減するために,アルミナ層によって保護された厚い,熱的に再流動したMaN 2410 E-ビームレジスト上の空気ブリッジ相互接続に基づく製作アプローチを用いた。超狭いスロットへの高分子の高い電流と不完全な浸透の課題を克服するために,著者らは,著者らの電気光学高分子のポーリング効率を高めるために,キャリア障壁としてTiO_2の注意深く設計した原子的に薄い層を使用した。さらに,有限差分時間領域シミュレーションを用いてTiO_2の薄層の影響を最適化した。他のものと比べて,非最適化,ケース,著者らのピーク測定電流は3の因子によって減少した。走査電子顕微鏡像も,ほぼ完全な浸潤を達成することを示した。TiO_2層による全容量の予想される増加は無視できることを示した。事実,著者らのTiO_2表面処理を著者らの超狭いスロットに適用することにより,10nmのTiO_2層に対して,Δλ_94%の改善された位相シフト効率(∂n/∂V)を得ることができた。【JST・京大機械翻訳】

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光変調器

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