ヘリカルエッジにおける有限周波数後方散乱電流雑音【JST・京大機械翻訳】

Pashinsky B. V.; Goldstein M.; Burmistrov I. S.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206001243162 整理番号：22P0171678

ヘリカルエッジにおける有限周波数後方散乱電流雑音【JST・京大機械翻訳】

Finite frequency backscattering current noise at a helical edge

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発行年： 2020年07月16日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年07月16日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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十分な異方性を有する磁性不純物は,予想される量子化値から2Dトポロジー絶縁体のエッジコンダクタンスの観察された強い偏差を説明することができた。本研究では,任意のスピンSと交換行列の一般形を持つ希薄不純物に結合した螺旋エッジを考察した。温度と印加電圧バイアスの関数として有限周波数における後方散乱電流雑音を計算した。ゼロ周波数におけるLorentz共鳴に加えて,後方散乱電流雑音は非ゼロ周波数でFano型共鳴を特徴とすることを見出した。共鳴の幅は対応するKorringa速度スペクトルによって制御された。固定周波数において,後方散乱電流雑音はバイアス電圧の関数として非単調挙動を有した。【JST・京大機械翻訳】

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電子輸送の一般理論

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