過剰ドープ状態における超伝導YBa_2Cu_3O_7-δ薄膜の超高臨界電流密度【JST・京大機械翻訳】

Stangl A.; Palau A.; Deutscher G.; Obradors X.; Puig T.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206009504437 整理番号：22P0188716

過剰ドープ状態における超伝導YBa_2Cu_3O_7-δ薄膜の超高臨界電流密度【JST・京大機械翻訳】

Ultra-high critical current densities of superconducting YBa$_2$Cu$_3$O$_{7-\delta}$ thin films in the overdoped state

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発行年： 2020年09月07日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年09月07日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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ドーピングは銅酸化物の機能性を調整するための最も関連する経路の一つであり,これらの印象的な超伝導材料のキャリア密度と全体的な物理的性質を決定する。測定した電荷キャリア密度,n_H,正孔ドーピング,p,および臨界電流密度J_cを相関させて,低ドープから過ドープ状態までのYBa_2Cu_3O_7-δ(YBCO)薄膜の酸素ドーピング研究を示した。著者らの結果は,電荷キャリア密度によるJ_cの連続的増加を示し,量子臨界点(QCP)でのpドーピングに対して5Kで90MA/cm ̄2に達し,超伝導凝縮エネルギーの増加にリンクした。達成された超高J_cは,脱対電流の3分の1に対応し,すなわち,YBCO膜で報告された値よりも60%高かった。過剰ドープ領域は,QCPでのFermi面の再構成に関連したn_Hの急激な増加によって特性化される。過剰ドーピングYBCOは,用途のためのREBCO被覆導体の電流輸送能力を拡張する有望な経路を開く。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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