電子トンネル分光法からのFeSiにおける直接および間接ギャップの証拠【JST・京大機械翻訳】

Batkova M.; Batko I.; Mihalik M.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206173699761 整理番号：22P0202473

電子トンネル分光法からのFeSiにおける直接および間接ギャップの証拠【JST・京大機械翻訳】

Evidence for direct and indirect gap in FeSi from electron tunneling spectroscopy

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発行年： 2020年10月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年10月21日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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均一トンネル接合接触の場合とPt-Rh合金から作製した対電極の場合について実施した単結晶FeSi試料の電子トンネル分光法研究を報告した。その結果,Pt-Rhチップを有する配置におけるトンネル分光法は,d-部分状態密度および間接エネルギーギャップに対して優先的に敏感であるが,トンネル接合のFeSi-FeSi型は,c-部分状態密度およびFeSiにおける直接ギャップに関する分光学的情報をもたらすことが明らかになった。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

金属-絶縁体-金属構造 , 半導体結晶の電子構造

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