近接したナノワイヤにおけるゲート調整可能な運動論的インダクタンス【JST・京大機械翻訳】

Splitthoff Lukas Johannes; Bargerbos Arno; Gruenhaupt Lukas; Pita-Vidal Marta; Wesdorp Jaap Joachim; Liu Yu; Kou Angela; Andersen Christian Kraglund; van Heck Bernard

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206177946038 整理番号：22P0291341

近接したナノワイヤにおけるゲート調整可能な運動論的インダクタンス【JST・京大機械翻訳】

Gate-tunable kinetic inductance in proximitized nanowires

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発行年： 2022年02月17日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年10月12日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

ハイブリッドInAs/Alナノワイヤにおけるゲート同調運動インダクタンスの検出を報告する。この目的のために,ナノワイヤを四分の一波共平面導波路共振器に埋め込み,回路の共振周波数を測定した。共振周波数は,近接した半導体の電子密度を制御するゲート電圧と,ナノワイヤインダクタンスによって変化することを見出した。Mattis-Bardeen理論を適用して,ナノワイヤの通常の状態伝導率のゲート依存性とその超伝導ギャップを抽出した。著者らの測定はハイブリッドナノワイヤに対する既存のキャラクタリゼーション法を補完し,ゲート制御超伝導エレクトロニクスのための新しい有用なツールを提供する。【JST・京大機械翻訳】

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Josephson接合・素子 , その他の電子回路

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