プレプリント
J-GLOBAL ID:202202206283354026   整理番号:22P0328378

高効率セル構造と両立するP拡散後のUMG多結晶ウエハの高キャリア寿命【JST・京大機械翻訳】

High carrier lifetimes in UMG multicrystalline wafers after P- diffusion compatible with high-efficiency cell structures
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発行年: 2022年04月08日  プレプリントサーバーでの情報更新日: 2022年04月08日
JST資料番号: O7000B  資料種別: プレプリント
記事区分: プレプリント  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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高品質多結晶アップグレード冶金グレードシリコン(UMG-Si)は,従来のポリシリコンベースPV技術に比べて,低コスト,低エネルギー収支,低カーボンフットプリントに関連する重要な利点を提供する。本研究の目的は,一方では,キャリア寿命に関して,この材料に基づく太陽電池の効率の可能性を確認することである。一方では,それの結果として,不動態化エミッタ背面接触(PERC)デバイスの実装のための効果的な背面不動態化方式を確立することによる高効率セルアーキテクチャの採用を検討した。キャリア寿命と表面不動態化効率を,単一および二重P拡散ゲッタリングプロセス後の異なる不動態化層構成に対して調べた。Al_2O_3,SiO_xN_yおよびa-SiN_x:Hキャッピング被覆層から成る積層スタックを,工業的サイズ,鋸損傷エッチングUMGウエハおよび参照ヨウ素-エタノール(IE)不動態化を用いて得られた結果と比較した。少数キャリア寿命と暗示Voc(iVoc)測定に基づく診断は,特に焼成プロセス後のウエハ品質に対するパラメータ最適化の影響をモニターするのに役立った。リン拡散ゲッタリング(PDG)後,IEで不動態化したUMG-Siウエハにおいて,10≦15cm ̄-3注入レベルで600以上のキャリア寿命,および790まで局所的に測定し,高効率電池構造に対する材料の適合性を実証した。300以上の値を,710mVまでのVoc値を暗示して,ゲッターUMGウエハ用のAl_2O_3ベースパッシベーション層で得た。p型多結晶UMG-Si材料で得られたこれらの記録破壊寿命とiVoc図は,産業スケーラブル技術プロセスによる電子品質の著しい向上を実証した。【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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