電子構造に対する歪,電荷および分子軌道誘起効果の識別:グラフェン/アンモニア系【JST・京大機械翻訳】

Das Tanmay; Vempati Sesha

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206287879425 整理番号：22P0127231

電子構造に対する歪,電荷および分子軌道誘起効果の識別:グラフェン/アンモニア系【JST・京大機械翻訳】

Distinguishing strain, charge and molecular orbital induced effects on the electronic structure: graphene/ammonia system

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発行年： 2020年03月26日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年03月26日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

2D材料の表面における分子吸着は,バンド構造と界面状態への修飾に関する多くの疑問を提起し,それは,コースが完全な注意に値する。これと一致して,第一原理密度汎関数理論をグラフェン/アンモニア系に用いた。6つの吸着構造に対するNH_3の歪,電荷移動および分子軌道(MO)の存在によるバンド構造への影響を同定した。アンモニア吸着による誘起歪は,並進対称性の破れによりグラフェンのバンドギャップ(E_g)を開き,平衡Fermiエネルギー(EF)をシフトさせた。EgとEF値および電荷密度分布は,NH_3のMO構造が重要な役割を果たす吸着配置に依存する。NまたはHのMOの存在は,EFに対するグラフェンの非占有状態をプッシュした。NH_3は,全ての構成に対して1.6~2.2eV以内のEF以下でN_2pから生じる界面占有状態を形成する。これらの発見はグラフェン/NH_3系の基本的な理解を高める。【JST・京大機械翻訳】

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吸着の電子論 , 炭素とその化合物

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