臨界および超臨界膜モデルのためのピン止め【JST・京大機械翻訳】

Schweiger Florian

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206321998110 整理番号：22P0153110

臨界および超臨界膜モデルのためのピン止め【JST・京大機械翻訳】

Pinning for the critical and supercritical membrane model

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発行年： 2020年05月29日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年07月29日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

膜モデルは,界面高さの第二導関数を含むハミルトニアンを有するGauss界面モデルである。強度εのδピン止めの影響下で,次元d≧4のモデルを考察した。このピンニングポテンシャルは,任意のΔθ_0に対して界面を局在化するのを管理することが知られている。この結果を,分散のε依存性および小さなε(Bolthausen-Velenikによる離散Gauss自由場に対する対応する結果に類似した)に対する共分散の指数関数的減衰速度を確立することにより精密化した。また,場の熱力学的限界の存在を示した。これらの結論は,Bolthausen-Cipiani-KurtおよびSakagawaによる以前の研究により改善した。この問題は,ランダム有孔領域における楕円演算子の均質化との類似性を持ち,著者らの証明は,この結合からインスピレーションを取り入れた。主な新しいアイデアは,ピン止め点集合に対する相関不等式と,離散多極Hardy-Rellich不等式に依存する確率的Widman正孔充填剤議論と,適切な試験関数を構築するためのマルチスケール議論である。【JST・京大機械翻訳】

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, , 【Automatic Indexing@JST】

固-固界面 , 超伝導材料 , 酸化物系超伝導体の物性

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