ペロブスカイト固体電解質における低粒界抵抗の原子スケール起源【JST・京大機械翻訳】

Lee Tom; Qi Ji; Gadre Chaitanya A.; Huyan Huaixun; Ko Shu-Ting; Zuo Yunxing; Du Chaojie; Li Jie; Aoki Toshihiro; Stippich Caden John; Wu Ruqian; Luo Jian; Ong Shyue Ping; Pan Xiaoqing

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206366783956 整理番号：22P0323588

ペロブスカイト固体電解質における低粒界抵抗の原子スケール起源【JST・京大機械翻訳】

Atomic-scale origin of the low grain-boundary resistance in perovskite solid electrolytes

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで

この文献はプレプリントです。プレプリントについてはこちらをご確認ください。

著者 (14件)： , , , , , , , , , , , , ,
資料名：
発行年： 2022年03月31日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月31日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

酸化物固体電解質(OSE)は,リチウムイオン電池のための改善された安全性とエネルギー密度を達成する可能性を有するが,それらの高い粒界(GB)抵抗は一般的なボトルネックである。最もよく研究されたペロブスカイトOSE,Li_3xLa_2/3-xTiO_3(LLTO)において,GBのイオン伝導率はバルクのものより約3桁低かった。対照的に,関連するLi_0.375Sr_0.4375Ta_0.75Zr_0.25O_3(LSTZ_0.75)ペロブスカイトは,まだ知られていない理由で低いGB抵抗を示す。ここでは,LSTZ0.75 GBの原子スケール構造と組成を明らかにするために,活性学習モーメントテンソルポテンシャルと共に収差補正走査透過電子顕微鏡と分光法を用いた。振動電子エネルギー損失分光法を,LSTZ0.75のGBsにおける他の測定不能なLi分布を特性評価するために初めて適用した。LLTOの低いGBイオン伝導率の主な理由であるLi枯渇は,LSTZ0.75のGBsには存在しなかった。代わりに,LSTZ0.75の低いGB抵抗率は,豊富な空孔を含む特異な欠陥立方晶ペロブスカイト界面構造の形成に起因する。本研究は,低GB抵抗率の原子スケール機構への洞察を提供し,高い全イオン伝導率を有するOSEを設計するための可能な経路に光を当てた。【JST・京大機械翻訳】

, , , , , , , , , , , , , ,
, , 【Automatic Indexing@JST】

二次電池

, , , ,

前のページに戻る