Bi_2Se_3単結晶および薄膜におけるトポロジカル電流輸送状態およびバルクからバルクへの変態のイメージング【JST・京大機械翻訳】

Jash Amit; Kumar Ankit; Ghosh Sayantan; Bharathi A.; Banerjee S. S.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206389279309 整理番号：22P0167332

Bi_2Se_3単結晶および薄膜におけるトポロジカル電流輸送状態およびバルクからバルクへの変態のイメージング【JST・京大機械翻訳】

Imaging the topological current carrying state and the surface to bulk transformation, in Bi2Se3 single crystal and thin film

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発行年： 2020年07月04日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年07月04日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

磁気光学ベースの電流イメージング技術は,トポロジカル絶縁体材料Bi_2Se_3の単結晶と薄膜におけるトポロジー電流分布の性質を比較する。低温における単結晶は,約3.6nm厚さの均一なトポロジー表面電流シートを有する。温度の上昇により,電流は結晶バルクに部分的に転換し,同時にシートは,高および低電流密度領域のパッチネットワークに破壊した。高電流密度領域の温度依存性は,結晶中のバルクからバルクへの変態が古典的相転移現象の特徴を持つことを示した。トポロジー高電流密度の表面積分率は秩序パラメータのように振舞う。この相転移は無秩序によって駆動される。Bi_2Se_3薄膜では,弱い印加磁場で抑制される準一次元トポロジーエッジ電流の存在を示した。エッジ電流は膜の均一なバルク電流に変換する。【JST・京大機械翻訳】

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表面の電子構造 , その他の無機化合物の電気伝導 , 半導体と絶縁体の電気伝導一般

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