RおよびH型ねじれMoSe_2/WSe_2ヘテロ構造の直接STM測定【JST・京大機械翻訳】

Nieken Rachel; Roche Anna; Mahdikhanysarvejahany Fateme; Taniguchi Takashi; Watanabe Kenji; Koehler Michael R.; Mandrus David G.; Schaibley John; LeRoy Brian J.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206782875428 整理番号：22P0024403

RおよびH型ねじれMoSe_2/WSe_2ヘテロ構造の直接STM測定【JST・京大機械翻訳】

Direct STM Measurements of R- and H-type Twisted MoSe2/WSe2 Heterostructures

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発行年： 2022年01月06日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月17日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

半導体遷移金属ジカルコゲン化物ヘテロ構造を積層すると,ねじれ角と格子不整合が周期的モミアポテンシャルをもたらす。層間の角度が変化すると,電子物性が変わる。角度が0または60度に近づくと,バンドエッジ,フラットバンド,および閉込めにおける変調のような興味深い特性と特性が,発生すると予測される。ここでは,ほぼ0度回転(R型)とほぼ60度回転(H型)を有するMoSe_2/WSe_2ヘテロ構造におけるバンドギャップとバンド変調に関する走査トンネル顕微鏡と分光測定を報告する。理論により予測されたように,H型よりもR型に対する大きな変調を有する積層配置に対するバンドギャップの変調を見出した。さらに,局所状態密度画像は,電子が価電子帯と伝導バンドエッジで異なって局在化することを示した。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , 塩

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