直接バンドギャップと長いキャリア寿命を持つMXene様MOeneにおける超伝導体から半導体のハロゲン化誘起転移【JST・京大機械翻訳】

Yan Luo; xue Kui; Zhang Jing; Ku Ruiqi; Wang Bao-Tian; Zhou Liujiang

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202206922048888 整理番号：22P0306905

直接バンドギャップと長いキャリア寿命を持つMXene様MOeneにおける超伝導体から半導体のハロゲン化誘起転移【JST・京大機械翻訳】

Halogenation induced transition of superconductor-to-semiconductor in MXene-like MOene with direct band gap and long carrier lifetime

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発行年： 2022年03月19日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月19日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

興味深い機械的および電子的特性を有する従来のMXeneは,元素組成および化学修飾の肥沃度と共に,多くの注目を集めている。しかし,ジレックバンドギャップを有する半導体特性は,報告されたMXeneの間で非常に稀である。したがって,ユニークな挙動を有する炭化物と窒化物を越えてMXeneの族を広げることは,まだ異常で魅力的な分野である。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

半導体結晶の電子構造 , 塩

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