カルコゲナイドトポロジカル絶縁体における層間結合およびトポロジカル相転移【JST・京大機械翻訳】

Shirali Karunya; Shelton William A.; Vekhter Ilya

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202207220312362 整理番号：22P0295479

カルコゲナイドトポロジカル絶縁体における層間結合およびトポロジカル相転移【JST・京大機械翻訳】

Inter-quintuple layer coupling and topological phase transitions in the chalcogenide topological insulators

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発行年： 2022年02月25日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月25日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

3Dトポロジー絶縁体における量子相転移は,トポロジー状態とそれらの特性を調整する経路を提供する。格子定数のc/a比を変えることによって,Bi_2Se_3,Sb_2Se_3,Bi_2Te_3およびSb_2Te_3におけるトポロジー相転移を系統的に調べるためにDFTベースの計算を用いた。これは,異方性応力と歪の下で正味の静水圧を保証せず,遷移に導く物理学の明確な同定を可能にする。c/aの関数として,これらの材料の全ては,五重層(QLs)の構造的および電子的安定性,および,トポロジー転移の近くの,インター-キタプル層間距離とエネルギーギャップの両方の準線形挙動を示す。その結果,遷移はQL間物理,すなわち,隣接五重層内の外部原子シート間のCoulombとvan der Waals相互作用によって主に制御されることが分かった。合金化によるトポロジー同調に対するこれらの結果の意味を考察した。【JST・京大機械翻訳】

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相転移・臨界現象一般 , 絶縁体結晶の電子構造

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