希薄強磁性(Ga,Mn)Asにおける光活性化核スピン分極【JST・京大機械翻訳】

Tokarski John T. III; Bowers Clifford R; Thapa Sunil K.; Stanton Christopher J.; Liu Xinyu; Furdyna Jacek; Magill Brenden; Khodaparast Giti A.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202207751268473 整理番号：21P0044358

希薄強磁性(Ga,Mn)Asにおける光活性化核スピン分極【JST・京大機械翻訳】

Light-Activated Nuclear Spin Polarization in Dilute Ferromagnetic (Ga,Mn)As

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発行年： 2020年08月16日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年09月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs基板上に成長した希薄強磁性半導体Ga_1-xMn_xAs(x0.04)薄膜における光誘起核スピン偏極を研究した。強磁性相中の格子核スピンに及ぼすバンド端近傍光照明の効果を調べるために,超流体He中に浸漬した試料を用いて,高磁場誘導検出Ga-71NMRを行った。GaAsとGaMnAs膜試料の光誘起NMR信号の光子エネルギー依存性を円偏光を用いて記録した。修正8バンドPidgeon-Brownモデルを用いた外部磁場の存在におけるk.p法を用いた電子バンド構造計算により,データの解釈を導いた。NMR遷移強度の光子エネルギー依存性は吸収バンドエッジのシフトを示した。励起光のヘリシティの意味に関する不変性;光子エネルギー依存性における振動の欠如,その全ては理論的予測と一致した。光学活性化NMR実験の動力学を,可変光学強度研究と光/暗変調光ポンピング実験により研究した。これは,Mn(p型ドーパント)のドーピングがFermi準位を価電子帯に深く押し込むことができ,スピン偏極電子を生成するのに必要な光学遷移(Burstein-Moss効果)をブロックするからである。さらに,2桁以上の伝導電子g因子の計算増強は,格子核の過分極を妨げる電子-核スピン角モーメント移動を消光することが期待される。可変光強度と光ゲーティングによる実験は,光誘起四重極緩和と整合する機構を明らかにし,これはこの材料における格子核スピン状態の量子情報の光学移動と貯蔵に確かに干渉する過程であった。【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の磁性 , その他の無機化合物のNMR , 電気光学効果,磁気光学効果

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