CVDエピタキシャルグラフェン/6H-SiC上の空気安定準自由立位シリセン層のVan der Waalsヘテロエピタクシー【JST・京大機械翻訳】

Jabra Zouhour Ben; Abel Mathieu; Fabbri Filippo; Aqua Jean-Noel; Koudia Mathieu; Michon Adrien; Castrucci Paola; Ronda Antoine; Vach Holger; De Crescenzi Maurizio; Berbezier Isabelle

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202207869288630 整理番号：22P0304833

CVDエピタキシャルグラフェン/6H-SiC上の空気安定準自由立位シリセン層のVan der Waalsヘテロエピタクシー【JST・京大機械翻訳】

Van der Waals heteroepitaxy of air stable quasi-free standing silicene layers on CVD epitaxial graphene/6H-SiC

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発行年： 2022年03月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

原子的に平坦なダングリングボンドフリー表面を有する不活性で熱的に安定な材料から成るグラフェンは,シリセンのような二次元材料のvan der Waalsヘテロエピタクシーのための理想的なテンプレート層である。しかし,合成法と成長パラメータに依存して,グラフェン(Gr)基板は,単一試料,種々の表面構造,厚さ,欠陥,およびステップ高さを示した。これらの構造は,エピタキシャル層の成長モード,例えば,欠陥支援核形成によって促進されるVolmer-Weber成長への層ごとの成長を,著しく影響する。本研究では,6H-SiC(0001)基板上に化学蒸着したエピタキシャルGr(1ML Gr/1ML Grバッファ)上のシリコンの成長を,原子間力顕微鏡(AFM),走査型トンネル顕微鏡(STM),X線光電子分光法(XPS),走査電子顕微鏡(SEM)およびRaman分光法測定の組み合わせによって調べた。シリコンの分子線エピタキシー(MBE)堆積のための単一表面構造と超清浄条件を有する実物大のほぼ無欠陥の1ML Grの完全な制御が,エピタキシャルグラフェン上の拡張シリセンシートの成長を確実にするための重要な必要条件であることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の薄膜 , 炭素とその化合物 , 無機化合物一般及び元素 , 原子・分子のクラスタ , 半導体薄膜

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