厚いおよび薄いTaドープSnO_2膜の電気輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Gao Zong-Hui; Wang Zi-Xiao; Hou Dong-Yu; Liu Xin-Dian; Li Zhi-Qing

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202208166784438 整理番号：22P0277107

厚いおよび薄いTaドープSnO_2膜の電気輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Electrical transport properties of thick and thin Ta-doped SnO$_2$ films

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発行年： 2022年01月19日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月19日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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高周波スパッタリング法を用いて高導電性と高光透過性を有するTaドープSnO_2膜を作製し,それらの電気輸送特性を調べた。すべての膜は,電気輸送特性における縮退半導体(金属)特性を明らかにした。純アルゴン中に堆積された厚い膜(t>1μmの厚さ)に対して,電子-フォノン散乱のみは抵抗率の温度依存性挙動を説明することができず,電子-フォノンと電子不純物散乱の間の干渉効果を考慮するべきである。t≦sssim 36nm膜に対して,伝導率とHall係数は,Δλ100Kから液体ヘリウム温度までの温度(lnT)の対数と線形関係を示した。伝導率とHall係数のlnT挙動はAltshuler-Aronov型電子-電子相互作用効果によって説明できなかったが,粒度の存在における電子-電子相互作用効果によって定量的に解釈できた。これらの結果は,電子-フォノン-不純物干渉効果に関する理論的結果に対する強い支持を提供するだけでなく,強い結合領域における粒状金属における電荷輸送の理論的予測の妥当性を確認した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

ポーラロン,電子-フォノン相互作用 , 酸化物薄膜

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