ab initio-TCADシミュレーションフレームワークを用いたFinFETおよびナノワイヤSRAM放射線硬度の研究【JST・京大機械翻訳】

Saltin Johan; Elwailly Adam; Wong Hiu Yung

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202208240744176 整理番号：22P0296381

ab initio-TCADシミュレーションフレームワークを用いたFinFETおよびナノワイヤSRAM放射線硬度の研究【JST・京大機械翻訳】

FinFET and Nanowire SRAM Radiation Hardness Studies using Ab initio-TCAD Simulation Framework

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発行年： 2022年02月20日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月20日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本論文では,5nmノードFinFETとナノワイヤ(20nmゲート長)の脆弱性と放射下の対応するSRAMを研究した。ab initioツール,SRIM,PHITSおよびGEANT4を用いて,シリコンおよびシリコン-ゲルマニウムにおける中性子およびアルファ粒子の線形エネルギー移動(LET)を見出した。次に,技術計算機支援設計(TCAD)を用いて,FinFET,ナノワイヤ,およびそれらのSRAMにおける最も脆弱な入射位置と方向を見つける。SRAMにおけるレイアウト効果の研究を可能にする完全3D TCADシミュレーションを用いた。NWはフリップエネルギーに関してFinFETよりも約2~3倍強いことが分かった。ab initio-TCADフレームワークにおけるシミュレーションに基づいて,α粒子に免疫するNWを用いてSRAMを設計する可能性があると予測した。また,SRAMは,設計技術Co-Optimization(DTCO)を考慮した場合,よりロバストな放射線硬度のために最適化できることが期待される。【JST・京大機械翻訳】

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