エピタキシャルグラフェン下の量子閉込め銀単分子層の表面電荷移動ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Rosenzweig Philipp; Karakachian Hrag; Marchenko Dmitry; Starke Ulrich

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202208322385484 整理番号：22P0300102

エピタキシャルグラフェン下の量子閉込め銀単分子層の表面電荷移動ドーピング【JST・京大機械翻訳】

Surface charge-transfer doping a quantum-confined silver monolayer beneath epitaxial graphene

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発行年： 2022年03月07日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年06月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

最近,グラフェン/SiC界面は,インターカレーションによる不安定,単元素,二次元(2D)層のエピタキシーのための多目的プラットフォームとして浮上している。オーバヘッドグラフェンを有するvan der Waalsヘテロ構造に固有にキャップして,それらは,それらの親バルク結晶を対比する顕著な特性を有する新しいクラスの量子材料を構成する。インターカレートした銀は,2D量子閉じ込めと反転対称性の破れが金属-半導体転移を引き起こす原型例を示す。しかし,関連する非占有状態についてはほとんど知られておらず,バンドギャップを横切るFermi準位位置の制御が望ましい。ここでは,in situカリウム堆積によりグラフェン/2D-Ag/SiCヘテロスタックをn型ドープし,シンクロトロンベース角度分解光電子スペクトロスコピーによりそのバンド構造を調べた。10 ̄14cm ̄-2のオーダーの誘起キャリア密度は,銀伝導バンドの開始に達するのに十分ではないが,グラフェンのバンド整列は,剛性シフトAg価電子帯および基板コアレベルに対して,変化した。さらに,自由電子様分散を有する秩序化カリウム吸着層(グラフェンに対して2×2)を示し,ヘテロスタックの金属化増強によりグラフェン中のプラズマロン準粒子を抑制した。著者らの結果は,グラフェンから組み立てられたvan der Waalsヘテロ構造のバンド配列と電子特性,および新しいタイプの単層量子材料を修飾するための効率的なハンドルとして,表面電荷移動ドーピングを確立する。【JST・京大機械翻訳】

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炭素とその化合物 , 半導体薄膜

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