抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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三層,Ising,スピン1/2,フェリ磁性体は,補償効果を示すためのシミュレーション研究にとって興味深い課題である。本研究では,三角格子上のサブ層を持つこのような系のモンテカルロ研究を行った。バルクを構成する3つの層が,AまたはB型の原子によって完全に形成される。類似原子(A-A;B-B)間の相互作用は強磁性であり,異なるもの(A-B)は反強磁性である。したがって,システムは3つの結合定数を持ち,2つの異なる三層組成:AABとABAに現れている。メトロポリス単一スピンフリップアルゴリズムをシミュレーションに用い,臨界点の位置(サブ格子磁化は消滅し,ゼロバルク磁化に導く)と補償点(バルク磁化は消滅するが,非ゼロ副格子磁化は存在する)を推定した。補償点のための可変格子サイズによる近接範囲シミュレーションおよび臨界点のためのBinderのキュムラント交差技術を,補正点の存在のための解析および条件のために採用した。包括的相図をハミルトニアンパラメータ空間において求め,両配置に対する臨界および補償温度での形態学的研究も報告した。臨界と補償温度の間の減少した残留磁化と温度間隔の逆絶対に関する代替記述も提案し,従来のシミュレーション結果と比較した。このようなシミュレーション研究および補償効果の提案システムは,特定の技術的応用のための材料設計に有用である。【JST・京大機械翻訳】