反転対称性の不揮発性電場制御【JST・京大機械翻訳】

Caretta Lucas; Shao Yu-Tsun; Yu Jia; Mei Antonio B.; Grosso Bastien F.; Dai Cheng; Behera Piush; Lee Daehun; McCarter Margaret; Parsonnet Eric; P. Harikrishnan K.; Xue Fei; Barnard Ed; Ganschow Steffen; Raja Archana; Martin Lane W.; Chen Long-Qing; Fiebig Manfred; Lai Keji; Spaldin Nicola A.; Muller David A.; Schlom Darrell G.; Ramesh Ramamoorthy

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202208916858382 整理番号：22P0022526

反転対称性の不揮発性電場制御【JST・京大機械翻訳】

Nonvolatile Electric-Field Control of Inversion Symmetry

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資料名：
発行年： 2022年01月02日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月02日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

凝縮物質系では,相境界での基底状態間の競合は,特にこれらの基底状態が異なる結晶対称性を持つ場合,外部刺激下での材料特性の著しい変化をもたらす。重要な科学的および技術的挑戦は,外部刺激による対称性-不明瞭相の共存を安定化および制御することである。モデル系として誘電体TbScO_3の層間に閉じ込められたBiFeO_3(BFO)層を用いて,室温でそれぞれ,反極性,絶縁性,極性,半導体挙動を有する中心対称と非中心対称BFO相の混合相共存を安定化した。面内電気(極性)場の適用は,2つの相間の可逆的で不揮発性の相互変換をもたらす系から中心対称性を除去および導入することができる。中心対称絶縁と非中心対称半導体相間のこの相互変換は,3桁以上の非線形光学応答,5桁以上の抵抗率の変化,および極性秩序の変化の同時変化と一致した。本研究では,光学的,電気的,およびフェロイック応答の変化を利用する新しい交差機能デバイスを可能にする材料プラットフォームを確立した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , 【Automatic Indexing@JST】

超伝導体の物性一般

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