走査トンネル顕微鏡における台形ポテンシャル障壁を横切るトンネル電流の計算【JST・京大機械翻訳】

Dessai Malati; Kulkarni Arun V.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202209023726425 整理番号：22P0328544

走査トンネル顕微鏡における台形ポテンシャル障壁を横切るトンネル電流の計算【JST・京大機械翻訳】

Calculation of tunneling current across Trapezoidal potential barrier in a Scanning Tunneling Microscope

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発行年： 2022年04月08日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年10月04日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

電極表面が無限平行平面であると仮定されたSTMのための電極-Vacuum-Elect配置の平面モデルを,原子サイズ分離と真空で,それらの間の原子サイズ分離と真空を用いて,低および高バイアス電圧の両方に対するトンネル電流密度を計算した。トンネル領域における台形障壁のためのSchr「odinger方程式」に対する非WKB,Airy関数解を用いて,トンネル確率を計算した。各電極に対する温度依存Fermi因子を導入し,計算は電子エネルギーに対する積分を含む。平面モデルで得られた電流密度をトンネル電流に変換するために,チップと試料表面を共焦点双曲線としてモデル化し,チップ試料距離を力線の長さ(場線)によって置き換えた。電流をチップの有限領域にわたって電流密度を統合することによって見出した。バイアス電圧,チップ試料距離,および曲率の先端半径のいくつかの値に対して,室温で数電極対に対する計算トンネル電流をプロットし,バイアス電圧およびチップ試料距離の関数として,Pauli効果の研究を行った。横方向分解能のいくつかの推定とバイアス電圧とチップ半径への依存性も示した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

固-気界面一般 , 電子顕微鏡,イオン顕微鏡 , 顕微鏡法 , 界面の電気的性質一般

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