グラフェン-シリコンSchottkyダイオード光検出器の基板工学に向けて【JST・京大機械翻訳】

Selvi H.; Unsuree N.; Whittaker E.; Halsall M. P.; Hill E. W.; Parkinson P.; Echtermeyer T. J.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202209052331570 整理番号：22P0041209

グラフェン-シリコンSchottkyダイオード光検出器の基板工学に向けて【JST・京大機械翻訳】

Towards Substrate Engineering of Graphene-Silicon Schottky Diode Photodetectors

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発行年： 2017年06月27日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2017年06月27日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

グラフェン-シリコンショットキーダイオード光検出器は,高い応答性や検出性,広いスペクトル波長動作,高い動作速度などの有益な特性を有している。種々の経路とアーキテクチャを,デバイスを作製するために過去に採用した。素子は,グラフェン-シリコンショットキー接合を形成するために,シリコンの上にグラフェンを堆積する前に,湿式エッチングによるシリコン表面のシリコン-酸化物層の除去に基づいている。本研究では,グラフェン-シリコンSchottkyダイオード光検出器の光検出能力に及ぼす界面酸化物層,作製技術およびシリコン基板の影響を系統的に研究した。デバイスの特性を,近紫外から短/中赤外放射までの広い波長領域,5桁以上にわたる放射強度,および高速動作のためのデバイスの適性に関して調べた。結果は,必要な応用に依存する界面層が,そのようなデバイスの光検出特性を高めるのに有益であることを示した。さらに,スペクトル応答と動作速度に及ぼすシリコン基板の影響を実証した。製作したデバイスは,近紫外から短/中赤外(熱)波長領域までの広いスペクトル波長領域にわたって動作し,10 ̄6V/Wに近い高い光電圧応答と数十ナノ秒の短い上昇と降下時間を示した。【JST・京大機械翻訳】

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測光と光検出器一般 , ダイオード

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