抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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8つの三元金属間化合物半導体のフォノン熱輸送特性を,高次4フォノン散乱,フォノンくりこみ,およびマルチチャネル熱輸送を考慮して研究した。3フォノン散乱とフォノンくりこみのない,通常用いられる最低次理論は,考慮された材料に対して劇的に失敗し,2倍までの熱伝導率を過小予測した。熱伝導率は3つの化合物で減少し,5つの化合物で増加し,4フォノン散乱の対照的な役割と予測した熱伝導率へのフォノンの硬化により,高次の補正を適用した。300Kの温度で高次理論を用いると,得られた最低熱伝導率はBiCsK_2に対して0.31W/m-Kであり,他の3化合物(SbCsK_2,SbRbNa_2,SbRbK_2)は粒子状フォノン輸送チャネルを介して0.5W/m-Kより低い熱伝導率を有した。波様コヒーレント輸送チャネルの寄与は,これらの超低熱伝導率化合物の全てにおいて,0.05W/m-Kより低い。高次理論は熱輸送物理の正しい記述の必要であり,熱輸送が最低次理論による多チャネル輸送として誤って特性化される。【JST・京大機械翻訳】