種々の基板上のβ-Ga_2O_3ナノ膜Schottky障壁ダイオードの過渡特性【JST・京大機械翻訳】

Lai Junyu; Seo Jung-Hun

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202209926006232 整理番号：22P0293791

種々の基板上のβ-Ga_2O_3ナノ膜Schottky障壁ダイオードの過渡特性【JST・京大機械翻訳】

Transient Characteristics of $\beta$-Ga$_2$O$_3$ Nanomembrane Schottky Barrier Diodes on Various Substrates

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発行年： 2022年02月22日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月22日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

本論文では,4つの異なる基板(ダイヤモンド,Si,サファイア,およびポリイミド)上に形成したβ-Ga_2O_3 NMs Schottky障壁ダイオード(SBD)の過渡的遅延上昇および落下時間を,異なる温度条件下でサブミクロン2次分解能時間分解電気測定システムを用いて測定した。デバイスは,β-Ga_2O_3NMs SBDが高k基板上に転写印刷されたとき,著しく遅延したターンオン/オフ-オン-オフ時間を示した。さらに,β-Ga_2O_3NM厚さとそれらの過渡特性の間の関係を系統的に調べ,フォノン散乱が,β-Ga_2O_3NMの厚みが薄くなるので,熱放散において重要な役割を果たし,また,マルチフィジックスシミュレータによって検証されることを見出した。全体として,著者らの結果は,β-Ga_2O_3NMsベースデバイスの性能と共に,異なる熱特性と異なるβ-Ga_2O_3NM厚さを有する種々の基板の影響を明らかにした。従って,これらの結果は,β-Ga_2O_3層からの熱放散を最大化することにより,将来のβ-Ga_2O_3デバイスの性能を最適化するための更なる努力をガイドできる。【JST・京大機械翻訳】

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ダイオード

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