ドナー,アクセプタおよび芳香族のビット:hBNおよびMoS_2単分子層上の分子吸着質の電子相互作用【JST・京大機械翻訳】

Melani Giacomo; Guerrero-Felipe Juan Pablo; Valencia Ana M.; Krumland Jannis; Cocchi Caterina; Iannuzzi Marcella

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202210112270883 整理番号：22P0325073

ドナー,アクセプタおよび芳香族のビット:hBNおよびMoS_2単分子層上の分子吸着質の電子相互作用【JST・京大機械翻訳】

Donors, Acceptors, and a Bit of Aromatics: Electronic Interactions of Molecular Adsorbates on hBN and MoS$_2$ Monolayers

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発行年： 2022年04月04日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月06日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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次世代のオプトエレクトロニック用途のための低次元有機-無機界面の設計は,これらの系における電子相互作用を支配する微視的機構の詳細な理解を必要とする。本研究では,自立六方晶窒化ホウ素(hBN)および二硫化モリブデン(MoS_2)単分子層上に吸着された5つの分子ドナーおよびアクセプタの構造的,エネルギー的および電子的特性を調べる密度汎関数理論に基づく第一原理研究を提示した。考察した全てのヘテロ構造は,両基板上の物理吸着分子の全体的な平面配置によって最大化された分散相互作用の重要な寄与により安定である。ハイブリッド系のレベルアラインメントは,成分の特性に依存する。hBNでは,タイプIとタイプIIヘテロ構造の両方が,真空レベルに関してフロンティア軌道の相対エネルギーに依存して形成される。他方,全てのMoS_2系ハイブリッド系は,半導体のエネルギーギャップを横切って位置する分子フロンティア軌道を持つタイプIIレベル配列を示した。ハイブリッド材料の電子構造を,界面双極子モーメントの形成および有機と無機成分間の波動関数ハイブリダイゼーションによってさらに決定した。これらの結果は,オプトエレクトロニックに適した特性を有する新しい低次元ハイブリッド材料の設計に重要な適応を提供する。【JST・京大機械翻訳】

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吸着の電子論 , 物理的手法を用いた吸着の研究

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