4f-強磁性単分子層における構造再構成と異方性コンダクタンス【JST・京大機械翻訳】

You Haipeng; Chen Jun; Zhang Jun-Jie; Ding Ning; Zhang Xiwen; Yao Xiaoyan; Dong Shuai

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202210118457632 整理番号：22P0330320

4f-強磁性単分子層における構造再構成と異方性コンダクタンス【JST・京大機械翻訳】

Structural reconstruction and anisotropic conductance in $4f$-ferromagnetic monolayer

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発行年： 2022年04月12日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月12日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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二次元磁石はナノスケールスピントロニクス応用に有望である。現在,最も利用可能な候補は,六角形またはハニカム格子形状を有する3d遷移金属化合物に基づいている。ここでは,4fモーメントを有するGdCl_3単分子層を理論的に研究し,既存のバルクから剥離できる。その斜方晶系構造と十面体イオンケージは二次元で独特である。さらに,顕著な構造再構成は,その格子間位置へのLi原子の注入によって引き起こされ,また,二重交換様過程を経て強磁性をもたらす。その高異方性コンダクタンスは,ナノエレクトロニクスに対して特に有用である。【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の磁性 , 分子の電子構造

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