点状接触モデルの応用:磁気ナノワイヤと平均自由経路効果による接合における磁壁の抵抗振動【JST・京大機械翻訳】

Useinov Artur

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202210155228643 整理番号：22P0303610

点状接触モデルの応用:磁気ナノワイヤと平均自由経路効果による接合における磁壁の抵抗振動【JST・京大機械翻訳】

Application of the point-like contact model: Resistance Oscillations of the Domain Wall in Magnetic Nanowires and Junctions due to Mean Free Path Effects

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発行年： 2022年03月14日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月14日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

本研究は,無視できる欠陥を有する磁性ナノワイヤ中の単一ドメイン壁によって誘起される電気抵抗の決定に焦点を当てた。与えられたモデルは,広範囲のナノワイヤの直径をカバーする。得られた結果は,1.2nmから15.2nmの範囲の直径成長に対して,その可能な偏差を伴う,ドメイン壁抵抗の,数桁の急速な減少を実証した。振動として同定されるこれらの偏差の起源は,混合電子散乱条件によるドメイン壁上の不均一電子散乱,すなわちスピンチャネルに対する弾道と逆スピン方向をもつ他のものに対する準弾道と参照される。ドメイン壁幅が2つの長さ,すなわちスピンダウンとスピンアップによる平均自由行程の間の値によるとき,それは起こる可能性があった。この知見の間接的証拠も,均一ナノワイヤがセグメント化した磁性ナノワイヤよりも,むしろ最も貴重なドメイン壁抵抗振動を示すという事実から来る。DW幅が一定である手法に加えて,領域壁がいくつかの条件に対して制約される場合,他の合理的なモデルを使用した。同じ結果は磁壁を有する磁気接合に対して有効である。最後に,ナノワイヤの直径(または点状接合)が電子のスピン分解平均自由行程より大きいとき,拡散範囲の抵抗シミュレーションは,文献において利用可能な単一および二重分域壁抵抗の実験データにうまく従った。【JST・京大機械翻訳】

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金属結晶の磁性

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