連続共鳴における磁気双極子準束縛状態による臨界結合でのグラフェンの光吸収の制御【JST・京大機械翻訳】

Wang Xing; Duan Junyi; Chen Wenya; Zhou Chaobiao; Liu Tingting; Xiao Shuyuan

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202210194139356 整理番号：21P0045760

連続共鳴における磁気双極子準束縛状態による臨界結合でのグラフェンの光吸収の制御【JST・京大機械翻訳】

Controlling light absorption of graphene at critical coupling through magnetic dipole quasi-bound states in the continuum resonance

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発行年： 2020年08月26日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年10月13日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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フォトニック構造における高Q共鳴を有する二次元(2D)材料における光-物質相互作用の増強は,光学的およびフォトニックデバイスの開発を推進している。ここでは,連続体(BIC)における放射工学と束縛状態の間のブリッジを構築し,準BIC共鳴による臨界結合での光吸収を制御する一般的方法を提示する。シリコンナノディスクメタ表面と結合したグラフェンから成る単一モード2ポートシステムにおいて,磁気双極子共鳴の放射速度がグラフェンの散逸損失速度に等しいとき,0.5の最大吸収を達成できる。さらに,メタ表面の非対称パラメータ,Fermi準位およびグラフェンの層数を同時に変えることによって,吸収帯域幅を0.9nmから94nmまで2桁以上調整することができた。本研究は,放射線工学におけるBICの本質的な役割を明らかにし,次世代の光学的およびフォトニックデバイス,例えば,発光素子,検出器,変調器,およびセンサのための2D材料の光吸収を制御する有望な戦略を提供する。【JST・京大機械翻訳】

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光物性一般

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