プレプリント
J-GLOBAL ID:202202210207576963   整理番号:21P0067057

チュートリアル:高次トポロジカル絶縁体に関するDirac方程式の展望【JST・京大機械翻訳】

Tutorial: Dirac Equation Perspective on Higher-Order Topological Insulators
著者 (1件):
資料名:
発行年: 2020年12月09日  プレプリントサーバーでの情報更新日: 2021年06月10日
JST資料番号: O7000B  資料種別: プレプリント
記事区分: プレプリント  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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このチュートリアルでは,Dirac方程式に関する高次トポロジー絶縁体の低エネルギー記述に焦点を絞って,物質の非相互作用フェルミオン相の分野における最近の発展を教育的にレビューした。著者らの目的は,大部分が自己含有処理を与えることである。位相的結晶バンド構造のDirac近似を導入した後,1および2空間次元における一次および高次トポロジー絶縁体の異常端およびコーナー状態を導出するためにそれを用いた。特に,著者らは,結晶対称性に関してSu-Schrieffer-Heeger(SSH)鎖のドメイン壁束縛状態の古典的誘導を再キャストした。二次元高次トポロジー絶縁体のエッジは,そのドメイン壁束縛状態がコーナー状態になる単結晶対称性保護SSH鎖として見ることができる。二次元系の完全対称境界を明示的に解くが,代わりに断熱連続性によって議論される。本手法は,解析的に扱いやすいまま,高次トポロジーの全ての顕著な特徴を捉える。【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
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統計力学一般,多体問題  ,  電子構造一般  ,  表面の電子構造  ,  半導体薄膜 
タイトルに関連する用語 (4件):
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