振電くりこまれた電子バンド構造の完全非調和,非摂動理論【JST・京大機械翻訳】

Zacharias Marios; Scheffler Matthias; Carbogno Christian

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202210250095472 整理番号：22P0126101

振電くりこまれた電子バンド構造の完全非調和,非摂動理論【JST・京大機械翻訳】

Fully Anharmonic, Non-Perturbative Theory of Vibronically Renormalized Electronic Band Structures

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発行年： 2020年03月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年06月24日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

最先端の電子-フォノン結合形式の主な限界を克服する固体における振電相互作用処理のための第一原理アプローチを開発した。特に,核動力学における非調和効果はab initio分子動力学シミュレーションにより全ての次数に説明される。この非摂動的自己整合アプローチは,計算した非調和軌道に沿った波動関数の応答を評価する。このように,それは核と電子自由度の間の結合を完全に考慮した。ソフトモードを特徴とする強い非調和材料であるシリコンと立方晶ペロブスカイトSrTiO_3に対する温度依存性,運動量分解スペクトル関数を計算することによって概念の利点を検証し,実証した。後者の場合,著者らのアプローチは,非調和性と高次振電結合が,有限温度における電子構造に実質的に寄与し,バンドギャップと有効質量に影響し,従って,輸送係数のような巨視的性質に影響することを明らかにした。【JST・京大機械翻訳】

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結晶中のフォノン・格子振動

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