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J-GLOBAL ID：202202210534208192   整理番号：22A0578385

ピエゾ-フォトトロニクス効果によるAu/GaN界面を横切るプラズモンホットエレクトロンの増強された移動効率【JST・京大機械翻訳】

Enhanced transfer efficiency of plasmonic hot-electron across Au/GaN interface by the piezo-phototronic effect

著者 (8件)： Zhu Yu (School of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Deng Congcong (School of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  He Chenguang (Institute of Semiconductors, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou 510650, China) ,  Zhao Wei (Institute of Semiconductors, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou 510650, China) ,  Chen Zhitao (Institute of Semiconductors, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou 510650, China) ,  Li Shuti (School of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China) ,  Zhang Kang (Institute of Semiconductors, Guangdong Academy of Sciences, Guangzhou 510650, China) ,  Wang Xingfu (School of Semiconductor Science and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China)
資料名： Nano Energy  (Nano Energy)
巻： 93  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3116A  ISSN： 2211-2855  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズモン媒介光電子デバイスの性能は,主に金属ナノ構造から半導体活性領域へのエネルギーホット電子(QE_HET)の移動効率によって制限される。ここでは,Auナノ粒子(NP)/GaN膜を通過するプラズモン誘起ホット電子移動(PHET)の外部歪誘起ピエゾ-フォトトロニクス効果による効率を高める新しい戦略を報告する。異なる歪条件下でAu NP/GaN自立膜の過渡吸収(TA)スペクトル測定を行うことで,有効QE_HETの増強は3.57%圧縮歪下でほぼ120%と見積もられた。この増強は,材料の形態を制御し,電荷移動遷移経路を最適化することのような他の方法を用いた以前報告された成果に匹敵するか,またはより良好である。ピエゾ-フォトトロニック増強PHETの機構は,Au NP/GaNヘテロ接合間の変調障壁高さに依存する。これを,外部歪下でのAu NP/GaN膜の光応答能力測定を行うことによってさらに確認した。プラズモンヘテロ接合の光応答性は,ハイブリッド膜が圧縮/引張歪を受けるとき,明らかに増加した。これらの結果は,プラズモンヘテロ構造におけるQE_HETに対するピエゾ-フォトトロニクス効果の理解を深め,高性能プラズモンデバイスと光電気化学システムのためのホットキャリア動力学を操作するための有効な戦略を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *界面 ,  最適化 ,  半導体 ,  光検出器 ,  *プラズモン ,  *金 ,  素子構造 ,  *窒化ガリウム ,  *ホットエレクトロン
準シソーラス用語： 過渡吸収 ,  光応答 ,  ヘテロ構造 ,  引張歪 ,  金ナノ粒子 ,  ハイブリッド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ピエゾ-フォトトロニクス効果 ,  熱電子 ,  輸送動力学 ,  GaN ,  紫外線光検出器

分類 (5件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  圧電デバイス  (NC03110I) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (4件)： Au ,  GaN ,  界面 ,  増強