遷移金属ジカルコゲナイドにおける層依存電子構造変化-微視的起源【JST・京大機械翻訳】

Pandey S. K.; Das Ruma; Mahadevan Priya

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202211157367558 整理番号：21P0003890

遷移金属ジカルコゲナイドにおける層依存電子構造変化-微視的起源【JST・京大機械翻訳】

Layer dependent electronic structure changes in transition metal dichalcogenides- The microscopic origin

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発行年： 2017年02月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年08月16日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

M=Mo,WおよびX=S,SeおよびTeの遷移金属ジカルコゲン化物MX_2の電子構造発展を調べた。これらは,一般的にvan der Waalsヘテロ構造として参照されるが,1つは,いくつかの事例で厚さと共に0.6eVの大きさのバンドギャップ変化を有する。これは,支配的な相互作用がvan der Waals相互作用である記述とは一致しないようである。密着結合モデルへのマッピングにより,層間ホッピング相互作用のみによって決まる電子構造変化を定量化することができた。原子が遭遇する異なる環境は,Madelungポテンシャル,従ってオンサイトエネルギーを変えることができる。これは,積層が2H構造で見出されるものと異なる場合と同様に,単層から二分子層へ進むと同時に起こる。これらの効果は無視できる程度であり,層間相互作用のみから生じる厚さ依存電子構造変化の定量化を可能にした。【JST・京大機械翻訳】

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