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J-GLOBAL ID:202202211158658293   整理番号:22A0434735

イオンビーム照射下での2DMoS_2スパッタ薄膜の電子構造工学:制御欠陥発生による誘導【JST・京大機械翻訳】

Electronic structure engineering of 2-D MoS2 sputtered thin films under ion beam irradiation: Induced by controlled defect generation
著者 (4件):
資料名:
巻: 48  号:ページ: 2999-3019  発行年: 2022年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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TMDs(遷移金属ジカルコゲン化物)は,2次元(2D)材料の顕著なクラスとして,現代の年に出会っており,莫大な考慮事項を持っている。TMD材料のクラスにおいて,二硫化モリブデン(MoS_2)は,フォトニクス,エレクトロニクス,電気化学およびエネルギーの分野で有望な応用を明らかにした。特に,MoS_2の欠陥はMoS_2の磁気,電子,触媒および光学特異性の改質において重要な役割を果たし,MoS_2ベースデバイスの効率の修正に応用可能な方法を示す。格子欠陥がMoS_2の特異性に影響する過程は不明である。本研究では,格子欠陥がMoS_2の電子構造にどのように影響するかを包括的に示す。スパッタした2D MoS_2薄膜のナノ構造化のための高速重イオン照射を用いる見通しを調べた。MoS_2薄膜におけるイオン誘起構造,光学的および形態的変化に関する著者らの広範な研究は,欠陥の照射プロフュージョンのパラメータに関する休止が確立できることを明らかにした。理論的に,光学バンドギャップも密度汎関数理論(DFT)を用いて決定した。スパッタリング法によりMoS_2薄膜を成長させ,イオン照射によりMoS_2薄膜中に欠陥を誘起した。これらの欠陥が,Raman,X線光電子分光法(XPS),光ルミネセンス分光法(PL),UV-可視分光,原子間力顕微鏡(AFM),X線回折(XRD)およびRutherford後方散乱分光法(RBS)から測定した測定により,MoS_2薄膜の電子構造にどのように影響するかを評価した。”これらの欠陥”を,Raman,X線光電子分光法(XPS),光ルミネセンス分光法(PL),UV-可視分光,原子間力顕微鏡(AFM),X線回折(XRD)およびRutherford後方散乱分光法(RBS)から測定した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
無機化合物のルミネセンス  ,  発光素子 

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