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J-GLOBAL ID：202202211187545261   整理番号：22A0906331

Au/Cu/n-Si/Au-Sb/Ni整流接触における障壁形成接触金属厚みに依存する電流電圧測定温度特性【JST・京大機械翻訳】

Current-voltage-measurement temperature characteristics depending on the barrier-forming contact metal thickness in Au/Cu/n-Si/Au-Sb/Ni rectifying contacts

著者 (2件)： Efeoglu Hasan (Faculty of Engineering, Department of Electrical and Electronics Engineering, Atatuerk University, TR-25240, Erzurum, Turkey) ,  Turut Abdulmecit (Faculty of Engineering and Natural Sciences, Department of Engineering Physics, Istanbul Medeniyet University, 34700 UEnalan, UEskudar, Istanbul, Turkey)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 143  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 10Kのステップで40~320Kの温度範囲でAu/n型Si(D1),Au/Cu/n-Si(D2),Au/Cu(4nm)/n-Si(D3)およびAu/Cu(2nm)/n-Si(D4)Schottky障壁ダイオード(SBD)の電流-電圧-温度(I-V-T)特性を実験的に紹介した。D2,D3およびD4 SBDのための銅Schottky接触(SC)ドットは,それぞれ100nm,4nmおよび2nmの厚さを有した。トップAu接触を,銅SC金属の酸化を防止するためのシールドとして使用した。D2,D3およびD4 SBDのSchottky障壁高さ(SBH)Φ_b0値はそれぞれ0.61eV,0.66eVおよび0.69eV,理想因子値は1.04,1.04および1.02であった。SBH値はCu薄膜厚みの減少と共に増加した。300KでAu/Cu/n-Siダイオードに対して10.6Ωの平均直列抵抗Rs値を得た。得られたRsと理想因子値はSC金属の厚さにほとんど依存しない。SBH対温度プロットにおいて,2nmと4nmの金属厚さを有するD3とD4ダイオードにおけるSBH値は320Kから120Kまでほとんど変化せず,D2SBDにおいて320Kから160Kまで不変であった。したがって,これらの結果から,SBDの品質はCu Schottky膜厚の減少と共に増加すると言われている。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  ダイオード ,  *電圧 ,  電気抵抗 ,  *電流 ,  薄膜 ,  半導体 ,  *金 ,  銅 ,  Schottky障壁ダイオード ,  因子 ,  *整流 ,  *電圧測定
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  直列抵抗 ,  理想因子 ,  Schottky障壁高さ ,  Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Schottkyダイオード ,  金属-半導体接触 ,  Schottky障壁高さ ,  測定温度 ,  Schottky接触金属の厚さ

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (10件)： Au ,  Cu ,  Si ,  Sb ,  Ni ,  整流 ,  障壁 ,  厚み ,  電圧測定 ,  温度特性