(Cd,Mn)Te試料における表面再結合と空間電荷制限光電流電圧(PC-V)測定  光電流(PC)の速度論【JST・京大機械翻訳】

Mycielski Andrzej; Kochanowska Dominika M.; Wardak Aneta; Goscinski Krzysztof; Szot Michal; Dobrowolski Witold; Janusz Gabriela; Gorska Malgorzata; Janiak Lukasz; Czarnacki Wieslaw; Swiderski Lukasz; Iwanowska-Hanke Joanna; Moszynski Marek

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202211193488477 整理番号：22P0293602

(Cd,Mn)Te試料における表面再結合と空間電荷制限光電流電圧(PC-V)測定光電流(PC)の速度論【JST・京大機械翻訳】

Surface recombination and space-charge-limited photocurrent-voltage (PC-V) measurements in (Cd,Mn)Te samples. Kinetics of photocurrent (PC)

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資料名：
発行年： 2022年02月22日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月22日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

光電流-電圧特性(PC-V)は,X線およびγ線検出器板,すなわちキャリア移動度-寿命積,mtにおける臨界パラメータを決定する方法である。(Cd,Mn)Teサンプルでは,測定結果が表面処理と電荷空間分布に強く依存することを示した。hv>Egおよびhv ̄Egに対して得られたPC-V特性は,20%HClによるエッチングが(Cd,Mn)Te試料表面において非常に浅い表面トラップの顕著な濃度の出現を引き起こすことを示した。これらのトラップは,PC-V特性とPC動力学の測定を著しく変化させた。また,PC動力学における光伝導に対する正孔の小さな寄与に注目した。hv>EgのPC-V特性測定は,検出器板表面品質を試験する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体-金属接触 , ダイオード , 固体デバイス製造技術一般 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 , 半導体結晶の電気伝導

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(Cd,Mn)Te試料における表面再結合と空間電荷制限光電流電圧(PC-V)測定 光電流(PC)の速度論【JST・京大機械翻訳】

(Cd,Mn)Te試料における表面再結合と空間電荷制限光電流電圧(PC-V)測定光電流(PC)の速度論【JST・京大機械翻訳】